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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
35
63
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.5
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
35
读取速度,GB/s
3,231.0
9.5
写入速度,GB/s
1,447.3
6.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
1853
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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