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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
63
左右 -75% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
36
读取速度,GB/s
3,231.0
14.2
写入速度,GB/s
1,447.3
10.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2474
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
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