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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
差异
规格
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差异
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
44
63
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.5
3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.6
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
44
读取速度,GB/s
3,231.0
8.5
写入速度,GB/s
1,447.3
5.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
1660
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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