RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
63
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.5
3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.6
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
44
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
1660
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link