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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
63
73
左右 14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.1
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
73
读取速度,GB/s
3,231.0
14.1
写入速度,GB/s
1,447.3
7.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
1609
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
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