STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

总分
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

总分
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    3 left arrow 15.6
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    29 left arrow 63
    左右 -117% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.9 left arrow 1,447.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    23400 left arrow 5300
    左右 4.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    63 left arrow 29
  • 读取速度,GB/s
    3,231.0 left arrow 15.6
  • 写入速度,GB/s
    1,447.3 left arrow 12.9
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 23400
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    478 left arrow 3093
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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