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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
差异
规格
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
37
左右 -85% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
20
读取速度,GB/s
11.4
18.7
写入速度,GB/s
7.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3652
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
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