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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
61
63
左右 -3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
61
读取速度,GB/s
3,231.0
17.6
写入速度,GB/s
1,447.3
8.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2113
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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