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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs AMD R7S48G2400U2S 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
AMD R7S48G2400U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
74
左右 58% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R7S48G2400U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
74
读取速度,GB/s
11.7
14.2
写入速度,GB/s
7.2
8.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
1774
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
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