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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs Kingston 9905712-048.A00G 16GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
差异
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Kingston 9905712-048.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
11.7
14.3
写入速度,GB/s
7.2
8.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
2579
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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