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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
68
左右 -134% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
29
读取速度,GB/s
3,973.0
18.3
写入速度,GB/s
1,944.9
14.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3442
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-8GSQ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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