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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
68
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
27
读取速度,GB/s
3,973.0
16.0
写入速度,GB/s
1,944.9
11.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
2561
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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