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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
68
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
36
读取速度,GB/s
3,973.0
17.4
写入速度,GB/s
1,944.9
12.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3552
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
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