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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
68
左右 -94% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
35
读取速度,GB/s
3,973.0
15.9
写入速度,GB/s
1,944.9
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3147
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
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