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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
68
左右 -183% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.1
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
24
读取速度,GB/s
3,973.0
15.7
写入速度,GB/s
1,944.9
11.1
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
2631
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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