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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
68
左右 -143% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
28
读取速度,GB/s
3,973.0
14.0
写入速度,GB/s
1,944.9
7.3
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
2663
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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