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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
68
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
5300
左右 4.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
59
读取速度,GB/s
3,973.0
20.1
写入速度,GB/s
1,944.9
10.6
内存带宽,mbps
5300
23400
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
2382
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
UMAX Technology 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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