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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
5,535.6
17.3
写入速度,GB/s
1,852.4
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
3404
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
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Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
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Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
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