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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
5,535.6
17.6
写入速度,GB/s
1,852.4
12.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
3084
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
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Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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