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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Kingston 9905744-076.A00G 16GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
49
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.5
10.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
47
读取速度,GB/s
10.9
11.5
写入速度,GB/s
8.7
8.4
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
1943
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
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