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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
19.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 -21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
38
读取速度,GB/s
5,535.6
19.3
写入速度,GB/s
1,852.4
13.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
3246
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
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