RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,852.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
5,535.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
1,852.4
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
858
3246
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link