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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
比较
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
总分
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
总分
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,852.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
5,535.6
14.4
写入速度,GB/s
1,852.4
9.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
858
2495
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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