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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
77
左右 -57% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,622.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
49
读取速度,GB/s
3,405.2
10.8
写入速度,GB/s
2,622.0
8.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2302
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
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