RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
77
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2302
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link