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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
24
左右 13% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
24
读取速度,GB/s
15.0
16.5
写入速度,GB/s
13.9
12.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3247
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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