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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 25% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
28
读取速度,GB/s
15.0
15.8
写入速度,GB/s
13.9
13.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
2640
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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