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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
31
左右 32% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
31
读取速度,GB/s
15.0
16.4
写入速度,GB/s
13.9
10.5
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3039
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
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