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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
33
左右 36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
15
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
33
读取速度,GB/s
15.0
16.2
写入速度,GB/s
13.9
12.0
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
3116
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
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