RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

总分
star star star star star
Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

总分
star star star star star
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

差异 规格 评论

差异

Team Group Inc. UD5-6400 16GB 需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    21 left arrow 33
    左右 36% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.9 left arrow 13.8
    测试中的平均数值
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB 需要考虑的原因
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    18.5 left arrow 15
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 19200
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR5 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    21 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    15.0 left arrow 18.5
  • 写入速度，GB/s
    13.9 left arrow 13.8
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    no data / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3774 left arrow 3341

Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
内存RAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
内存RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
内存RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
内存RAM
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.D8FE 2GB
Crucial Technology CT25664BA1339.D8FE 2GB
内存RAM