RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
33
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR5
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
13.9
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3774
3341
Team Group Inc. UD5-6400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link