RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3610
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Corsair CM3X2G1600C9DHX 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link