RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
49
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2301
2673
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link