RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2903
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link