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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
104
Intorno -271% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
28
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
2903
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
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