RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
56
左右 63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
56
读取速度,GB/s
15.0
9.3
写入速度,GB/s
13.9
7.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
2200
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link