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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
比较
Team Group Inc. UD5-6400 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
总分
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
62
左右 66% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
21
62
读取速度,GB/s
15.0
16.7
写入速度,GB/s
13.9
7.0
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3774
1808
Team Group Inc. UD5-6400 16GB RAM的比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
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