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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

总分
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Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

总分
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

差异 规格 评论

差异

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB 需要考虑的原因
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 31
    左右 6% 更低的延时
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 12.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.7 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    29 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    12.1 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 15.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1989 left arrow 3652

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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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内存RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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内存RAM
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Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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