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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
14.4
写入速度,GB/s
870.4
9.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2408
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
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