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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
87
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
33
读取速度,GB/s
3,155.6
16.2
写入速度,GB/s
870.4
12.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3026
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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