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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
21.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
87
左右 -412% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
17
读取速度,GB/s
3,155.6
21.7
写入速度,GB/s
870.4
17.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3814
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
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