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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
17.6
写入速度,GB/s
870.4
14.4
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3474
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
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