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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
87
左右 -295% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
22
读取速度,GB/s
3,155.6
18.2
写入速度,GB/s
870.4
13.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3297
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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