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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
87
左右 -190% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
30
读取速度,GB/s
3,155.6
17.3
写入速度,GB/s
870.4
12.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2190
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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