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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
87
左右 -222% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
27
读取速度,GB/s
3,155.6
16.1
写入速度,GB/s
870.4
9.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2607
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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