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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
18.3
写入速度,GB/s
870.4
14.2
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3330
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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