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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
87
左右 -129% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
38
读取速度,GB/s
3,155.6
14.2
写入速度,GB/s
870.4
10.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2807
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
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