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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
87
左右 -149% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
35
读取速度,GB/s
3,155.6
14.7
写入速度,GB/s
870.4
10.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3099
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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