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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
87
左右 -200% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
29
读取速度,GB/s
3,155.6
17.8
写入速度,GB/s
870.4
14.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3462
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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