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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
87
左右 -314% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
21
读取速度,GB/s
3,155.6
19.1
写入速度,GB/s
870.4
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3264
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
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